超薄硅片激光钻孔微小孔加工

联系人:张经理 硅片激光切割设备的特点： ·高配置：采用进口光纤激光器，光束质量更好（标准基模）、切缝更细（30μm）、边缘更平整光滑。 ·免维护：整机采用国际标准模块化设计，真正免维护、不间断连续运行、无消耗性易损件更换。 ·操作方便：设备集成风冷设置，设备体积更小，操作更简单。 ·专用控制软件：专为激光划片机而设计的控制软件，操作简单，能实时显示划片路径。 ·工作效率高：T型台双工位交替运行，提高工作效率。 硅片激光加工设备的应用： 激光划片机主要用于金属材料及硅、锗、 和其他半导体衬底材料划片和切割,可加工太阳能电池板、硅片、陶瓷片、铝箔片等,工件精细美观,切边光滑。采用连续泵浦声光调Q的Nd:YAG激光器作为工作光源，由计算机控制二维工作台，能按输入的图形做各种运动。输出功率大，划片精度高，速度快，可进行曲线及直线图形切割。 硅片的分类： 硅片规格有多种分类方法，可以按照硅片直径：4寸、6寸、12寸、3英寸、2英寸；单晶生长方法：单晶硅片、多晶硅片；掺杂类型：N型、P型等参量和用途来划分种类。 激光隐形切割作为激光切割晶圆的一种方案，很好的避免了砂轮划片存在的问题。激光隐形切割是通过将脉冲激光的单个脉冲通过光学整形，让其透过材料表面在材料内部聚焦，在焦点区域能量密度较高，形成多光子吸收非线性吸收效应，使得材料改性形成裂纹。每一个激光脉冲等距作用，形成等距的损伤即可在材料内部形成一个改质层。在改质层位置材料的分子键被破坏，材料的连接变的脆弱而易于分开。切割完成后通过拉伸承载膜的方式，将产品充分分开，并使得芯片与芯片之间产生间隙。这样的加工方式避免了机械的直接接触和纯水的冲洗造成的破坏。目前激光隐形切割技术可应用于蓝宝石/玻璃/硅以及多种化合物半导体晶圆。 随着硅半导体集成电路的广泛应用，硅半导体集成电路都要用到晶圆，传统的晶圆切割方法，都是手工采用金刚石刀进行切割，在晶圆上划分出若干个圆环，在划分出的圆环上切割出面积相等或者近似相等的小圆弧体。或者采用的是非均匀圆环、同一圆心角内进行切割的切割方法，这种晶圆切割方法的耗材大，经常要更换刀具，切割出来的晶圆芯片相距的宽度比较大，不均匀，所能切割的材料单一，适用性差，效率低下。 因此晶圆激光切割的方法工作效率高、能精确地调整待切割晶圆的各个方向的位置、精度高、全自动运行，对晶圆切割的位置进行准确定位，切割出来的晶圆芯片均匀、美观，能切割多种材料，适应性强，可以避免薄晶圆因切割破裂 激光切割技术集光学、精密机械、电子技术和计算机技术于一体，于传统方法相比 1、加工速度快；2、窄切槽（20um-30um），晶圆利用率高；3、非接触式加工，适合薄基圆；4、自动化程度高，任意图形切割。目前激光切割技术可以应用于切割硅片、低k材料、发光二极管衬底、微机电系统和薄膜太阳能电池等光电及半导体材料